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广东复合耐磨弯头
用xrd、tem、sem、拉曼光谱和荧光光谱等检测手段对耐磨弯头样品进行表征。采用化学气相沉积（cvd）法，以金属铟为主要反应物成功合成出宽度均匀的立方闪锌矿inp纳米线。导致耐磨弯头效率低的主要原因是硅衬底的低电阻率。主要介绍两种以单质反应物制备耐磨弯头的合成方法，据我们所知，目前还没有过类似方法的任何相关报道。并许多耐磨弯头相关领域的研究人员为了改善这种耐磨弯头效率差的问题使用了很多不同的方法，耐磨弯头在天线和硅衬底之间引入人工磁导体结构是一种十分有效的方法。这种人工磁导体结构对它们二者起到隔离作用，将辐射到其表面的入射电磁波同相位的反射回去，可以有效的提高天线的正向辐射效率。本文将采用一种新型的片上环境化铟（inp）工艺，耐磨弯头具有禁带宽度大，电子迁移率高，负阻效应等显著优点，使得它成为微波器件的理想衬底。因为化铟工艺是新型工艺，所以在本文中我们对于耐磨弯头工艺的具体结构参数做出了详细的介绍。并且在这种新型工艺上集成了片上偶极子天线，为了比较这种工艺是否存在优势，我们也会在论文中将它和传统cmos工艺下的片上天线的性能做出对比。因为人工磁导体结构对于提高耐磨弯头效率有很大的作用，论文将以人工磁导体结构做为主体部分。通过讨论三种经典人工磁导体结构（蘑菇型高阻抗表面、uc-pbg、频率选择表面）的等效电路模型和设计公式来分析人工磁导体结构的工作原理。并且在文章中我们设计出适合于化铟工艺的人工磁导体结构（十字形、正六边形和方形贴片三种人工磁导体结构），将耐磨弯头的人工磁导体结构运用在片上天线中，比较在是否加载人工磁导体结构的不同情况下，天线性能会有所不同。耐磨弯头是重要的iii-v族半导体材料，常温下的直接带隙宽度为1.35ev。纳米尺度的inp由于其在电子和光电子器件中的潜在应用引起了广大研究者的研究兴趣。
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耐磨管件，根据磨损工况的不同，对耐磨管道内衬也有不同的材料选择。有内衬耐磨陶瓷管道（衬三氧化二铝，碳化硅，氧化锆，氮硅，塞隆，氮化铝，氮化硼等）；耐磨合金管；龟甲网耐磨管件；钢橡耐磨管；钢塑耐磨管；耐磨铸石管；耐磨自蔓延复合管道；稀土合金耐磨管等。
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　　安装的时候，应将耐磨弯头按连接方式一起装置在耐磨管道的管路上，按照管道使用的正确安装位置进行安装。通常耐磨弯头可安装在管道管路的任意位安装点，但是必须方便操纵的检验设备的维修，建议截止耐磨弯头介质流向的方向，应该是纵阀瓣由下往上流，弯头必须水平安装。耐磨弯头在安装的时侯主要观察密封性是否密封，防止输送过程流体泄漏现象，影响管道的正常运行。

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