2020年美光三星等公司会推出新一代的ddr5内存,最高速率可达6400mbps,将逐步取代ddr4内存。现在的dram内存技术还在升级,但是技术瓶颈也日趋明显,研究人员正在寻找新的内存替代技术,英国就找到了新方向——全新内存延迟可低至10ns,功耗仅有现在1%。
多年来人们一直在寻求完美的“内存”芯片,它既需要低延迟、高带宽,也要功耗低(不需要频繁刷新),同时还得容量大,成本低,更重要的是具备断电不损失数据的特性,可以说是nand闪存及dram内存的完美体。
这么多要求,做起来可真不容易,intel的傲腾内存是基于pcm相变内存技术的,在可靠性、延迟等问题上已经大幅领先现在的闪存,更接近dram内存芯片了,不过超越内存还达不到。
日前外媒报道称,英国的研究人员找到了一种新型的“内存”,它使用的是iii-v族材料,主要是inas砷化铟和alsb锑化铝,用这些材料制成的nvdram非易失性内存具备优秀的特性,在同样的性能下开关能量低了100倍,也就是说功耗只有现有dram内存的1%,同时延迟可低至10ns。
总之,这种新型材料制成的内存芯片具备三大特性——超低功耗、写入不破坏数据、非易失性,其性能相比现在的dram内存倒是没多大提升,10ns级别的延迟跟ddr4内存差不多,但是上面三条特性,尤其是非易失性就足够让“内存”革命了。
不过也没法高兴太早,英国研发人员现在只是找到了新一代iii-v材料内存的理论方向,真正大规模制造这种内存还是没影的事,就像是像传了很久的mram、pcm、rram芯片一样。
作者:宪瑞编辑:宪瑞来源:快科技

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